问题——高频高速全面提速，传统材料“跟不上” 通信与算力基础设施正迈入百吉赫兹乃至更高频段。面向6G演进的更高载波频率、数据中心向800G/1.6T升级的光电互连需求，以及224G SerDes在交换芯片、加速卡与服务器主板上的快速普及，使信号在电路板上的传输更接近“微波工程”。在此背景下，传统FR4等通用基板在高频条件下插入损耗显著上升，信号能量快速衰减，噪声占比增加，眼图收敛甚至被淹没，工程余量大幅压缩，已成为高端互连的主要瓶颈之一。 原因——损耗并非单点问题，核心在材料电学与界面效应 高频损耗的形成主要来自两条路径：一是介电材料自身对电场能量的“储存与释放”能力差异，表现为介电常数（Dk）引发的传播速度变化和色散；二是介质将电磁能转化为热的能力，表现为损耗因子（Df）带来的介质损耗。频率越高，这两类损耗以及导体表面效应越突出：一上，Dk偏高会放大相位延迟并引入更明显的频散，使不同频率分量“不同步”；另一方面，Df偏高会把更多信号能量以热的形式耗散，直接抬升插损。此外，铜箔粗糙度、孔壁质量、表面处理等工艺因素会加剧高频下的趋肤效应和散射损耗，导致材料优势系统中被“打折”。 影响——800G等场景对“眼图余量”极其敏感，产业用需求投票 在800G光模块等高密度互连场景中，多对高速差分线需要在有限板面内完成更高带宽传输，损耗容忍度明显下降。若继续使用损耗水平较高的通用基板，眼图高度与信噪比将被持续侵蚀，误码率与链路容错压力随之上升，进而影响模块功耗、散热和系统稳定性。市场层面，高频高速电路板需求增长带动低损耗材料占比提升，有关机构对未来几年高频高速PCB规模的预测普遍上调。与此同时，行业也面临现实矛盾：高端低介电材料在配方、填料分散、树脂体系与稳定加工窗口各上门槛较高，当前供给仍以海外企业为主，国内虽产能、工艺和验证上加快推进，但在高端份额、体系化产品族和长期可靠性数据积累上仍需补齐短板。 对策——以“低Dk+低Df”为核心，走向材料、铜箔与工艺协同 业内普遍共识是，降低Dk与Df是提升高频高速互连能力的主路径。低Dk可降低传播延迟与色散，提升宽频段稳定性；超低Df可直接压低介质损耗，使链路更高频段仍保有可用眼图与误码余量。为实现这一目标，产业正在多路线并行推进：其一，采用PTFE、液晶聚合物等体系，通过纳米填料与分子结构设计实现更低Df与更稳定的频率响应，并拓展至更高频段应用；其二，向超低粗糙度铜箔升级，降低表面散射与趋肤损耗，减少“导体损耗”对整体插损的贡献；其三，以精密制造工艺提升一致性，包括更高精度层压对准、更高质量孔壁与更低粗糙度表面处理等，尽可能减少阻抗突变与界面不连续带来的附加损耗。值得关注的是，部分企业已在铜箔粗糙度控制、复合增强材料以及高精度加工上取得进展，验证数据表明在典型高频段插损与眼图指标上可更改善，为系统级降损提供了可落地路径。 前景——从100GHz迈向太赫兹，竞争焦点转向“宽带稳定+规模供给” 面向未来，低介电材料的演进方向将更强调三项能力：一是更低Df与更宽频段稳定性，满足从直流到太赫兹级的工程需求；二是与高密度互连、先进封装和天线阵列的协同设计能力，实现材料、电磁与结构的一体化优化；三是可规模制造与可验证可靠性，特别是在长周期热湿老化、机械应力与复杂装联条件下保持指标稳定。随着6G研究、卫星互联网、车载与机器人等新场景扩展，高频高速互连对材料国产化与供应链安全提出更明确要求。能否在关键树脂体系、填料分散、工艺窗口和标准化验证上形成体系化能力，将直接决定产业在下一轮升级中的主动权。
从10GHz到100GHz乃至更高频段，信号传输的竞争已从速度转向低损耗、低能耗与制造稳定性。低介电材料的突破与工艺成熟将为下一代通信与算力基础设施奠定基础。未来高频高速互连的发展高度取决于关键材料、精密制造及标准验证能力的持续提升。