DRAM与NAND的供给增速分别为17.5%、16.5%，需求增速却高达20.1%、21.4%，供需缺口被持续放大。给原本紧张的存储器供给链进一步拉紧，需求缺口持续扩大，主要客户的芯片满足率仅约60%。三星与SK海力士几乎同一时间把扩产时间线双双前移。为了缓解存储器短缺，美光科技宣布在新加坡投资240亿美元扩建晶圆厂。新一代高带宽存储HBM4报价约700美元，较前代HBM3E高出20%—30%。供应端加速、价格端抬升，这使得三星与SK海力士今年第一季营业利润有望冲至30兆韩元级别。美光科技作为国际同行同步加码。高端产品报价率先“起飞”，HBM4价格飙涨。SK海力士把试营运提前到明年2—3月；三星也把平泽P4工厂的投产节点压缩到本年度Q4。KB证券截至今年2月的最新统计显示，情况再度恶化。随着新一轮产能赛跑开始升级，全球龙头集体提速，这种周期性紧张可能比预期更持久。花旗集团的预测指出，存储器周期性紧张或比预期更持久。在2027年5月，全球龙头们就早早按下了快进键。随着高端产能溢价能力持续强化，三星与SK海力士齐提速。给DRAM与NAND的供需缺口被放大的情况正在恶化。给主要客户的芯片满足率仅约60%的现状也随之而来。 SK海力士位于龙仁的一期晶圆厂原定2027年5月竣工，如今把试营运提前到明年2—3月；几乎同一时间，三星电子也将平泽P4工厂的投产节点从“2026 Q1”压缩到本年度Q4。两家龙头不约而同按下快进键。高级HBM4价格飙涨在产能尚未爬升之际，高端产品报价已率先“起飞”。 市场消息称，三星新一代高带宽存储HBM4报价约700美元。 较前代HBM3E高出20%—30%；若SK海力士跟进，将比去年8月对英伟达的报价（约550美元）再涨近三成。 这给大家带来了压力。 目前来看DRAM与NAND的供给增速分别为17.5%、16.5%，而需求增速却高达20.1%、21.4%。 供需缺口被持续放大给大家带来了压力。 给原本就紧张的存储器供给链被进一步拉紧也是个问题。 全球龙头集体提速，本轮存储器周期性紧张或比预期更持久。 价格涨幅远高于制程迭代带来的成本增量凸显 高阶产能溢价能力持续强化也是个问题。 三星与SK海力士今年第一季营业利润有望冲至 30兆韩元级别创下近年同期新高。 这次美光亦加速“补位”，国际同行亦同步加码也给大家带来了希望。 花旗集团的预测指出 本次DRAM与NAND的供给增速分别为17.5%、16.5%需求增速却高达20.1%、21.4%给供需缺口被持续放大的情况起到了推波助澜的作用。 存储器巨头三星 SK海力士齐提速：产能赛跑再升级 这次SK海力士位于龙仁的 一期晶圆厂原定2027年5月竣工 如今把试营运提前到 明年2—3月； 几乎同一时间 三星电子也将平泽P4工厂的投产节点从“2026 Q1”压缩到 本年度Q4。 两家龙头不约而同按下快进键 意味着原本就紧张的存储器供给链将被进一步拉紧 这让我们看到了希望。 KB证券截至今年2月的最新统计显示 三星与SK海力士对主要客户的 芯片满足率仅约60% 较去年四季度再度恶化 这给大家带来了压力。 花旗集团进一步预测 本次DRAM与NAND的供给增速分别为17.5%、16.5% 需求增速却高达20.1%、21.4% 供需缺口被持续放大也是个问题。 在产能尚未爬升之际 高端产品报价已率先“起飞” 这让我们看到了希望。 市场消息称 三星新一代 高带宽存储HBM4报价约700美元 较前代HBM3E高出20%—30%；若SK海力士跟进 将比去年8月对英伟达的报价（约550美元）再涨近三成。 这给大家带来了压力。 价格涨幅远高于制程迭代带来的成本增量凸显 高阶产能溢价能力持续强化也是个问题。 在供应端加速、价格端抬升的双重驱动下 机构普遍上调盈利预期：三星与SK海力士今年第一季营业利润有望冲至 30兆韩元级别创下近年同期新高这让我们看到了希望。 美光科技宣布 将在新加坡投资 240亿美元扩建晶圆厂直接回应全球存储器短缺并加速自身产能释放 全球龙头集体提速 意味着本轮 存储器周期性紧张或比预期更持久这让我们看到了希望。