在显示技术迭代的关键节点，我国半导体产业传来重大突破。苏州汉骅半导体研发的"超越摩尔GaNPlus"平台，首次实现8寸硅基氮化镓Micro-LED全流程量产工艺，标志着我国在新型显示领域取得实质性进展。 长期以来，Micro-LED技术面临的核心难题在于氮化镓发光材料与成熟硅基CMOS驱动电路的异构集成。传统工艺中，材料热膨胀系数差异导致键合良率低下，而外延生长后的衬底剥离技术更是制约产业化的关键瓶颈。汉骅半导体通过自主研发的晶圆级无损去硅技术，不仅实现了8寸氮化镓薄膜的完整剥离，更创新性地建立了与现有半导体产线匹配的工艺标准。 技术突破带来多重产业价值。该平台支持红蓝绿多波长发光结构制备，像素密度可达5000PPI以上，功耗较传统方案降低40%。更值得关注的是，其开放代工模式提供标准化工艺设计套件，使设计企业可像使用传统半导体IP一样调用Micro-LED工艺模块。这种"即插即用"的产业生态，将大幅缩短终端产品研发周期。 市场分析显示，随着AR/VR设备向2000PPI以上分辨率演进，传统OLED技术已接近物理极限。Micro-LED凭借其超高亮度、纳秒级响应和更长寿命等特性，在智能穿戴、车载显示等场景展现独特优势。行业机构预测，2025年全球Micro-LED市场规模将突破百亿美元，其中近眼显示应用占比超六成。 此次技术突破具有显著的产业带动效应。通过复用现有8寸晶圆产线设备，企业可节省70%以上的固定资产投资。汉骅半导体已与多家头部厂商建立联合实验室，首批量产物料良率稳定在92%以上。产业链人士透露，基于该平台的AR眼镜显示模组有望在明年一季度实现商用交付。
从技术突破到实现稳定、经济、高效量产，是先进显示技术规模化的必经之路；8英寸兼容的标准工艺平台建设，标志着产业竞争正从单项技术突破转向系统化工程能力比拼。面对AR/VR等新兴应用的增长需求，谁能更快建立可复制、可协同、可量产的制造体系，谁就能在下一代微显示竞争中占据优势。