SK海力士正在搞下一代封装技术，主要是想让HBM4更稳更猛。3月4日《科创板日报》报道，韩国ZDNet那边的消息说，SK海力士现在正忙着搞这项技术的验证工作。HBM4把输入/输出信号的数量翻了一倍，一下子到了2048个，这确实让带宽变大了，但信号互相干扰的风险也跟着变大了，电压那些方面的挑战也来了。 为了增加稳定性，SK海力士打算把一些上层DRAM芯片的厚度加厚一点。因为这样能防止整体高度太高，还能减少给最上层供电的功耗，提升电源效率。之前为了把芯片做得薄，DRAM往往要把背面磨掉。但这种做法太危险，容易弄坏性能，还让人太敏感。 不过芯片间的间隙太小也不太好办，往里面注入模塑底部填充材料（MUF）变得更难了。MUF是用来保护和绝缘的，必须得填均匀才行。所以SK海力士开发了一种新办法，在不大改流程和设备的前提下，缩小DRAM间距还能保证良品率。 报道说最近他们内部测试效果不错。如果真能商用，不仅能让英伟达的HBM4达到峰值性能，下一代产品也会有很大提升。听说英伟达之前打算把总带宽目标定在22 TB/s（也就是每个HBM4引脚10 Gbps），但供应商好像有点跟不上。 半导体分析公司Semianalysis就讲了个情况：一开始英伟达给Rubin芯片定的目标太高了，内存供应商很难满足。他们预计出货量会比目标低一些，接近20 TB/s。 这下好了，各大厂都开始卷HBM性能了。三星那边用了更先进的1c DRAM技术，还在搞大招呢。 这个行业的前景很好。TrendForce集邦咨询说AI基建在扩张，GPU需求也跟着涨。等英伟达Rubin平台量产出来后，肯定会带火HBM4的需求。现在三大厂商都在搞验证工作了。 三大厂各有各的门道：三星产品最稳，肯定是最早通过验证的；SK海力士还在持续推进；美光稍微慢一点。 这个市场竞争挺激烈的。有消息称SK海力士把增加上层DRAM芯片厚度、缩小DRAM间距这些事都给搞定了。以前为了追求薄度把背面磨掉风险太大，容易坏。现在既不牺牲高度又能省功耗还能增加厚度，真是两全其美。 估计2026年第二季就能搞定这事了。到时候SK海力士肯定能在跟英伟达的合作里占优势。 虽然各有千秋吧，不过三星肯定是最先开始量产的；美光也不差。 这次的关键就在于让HBM4的I/O数量翻倍到了2048个。 原来的I/O数量少的时候就没问题；现在翻倍了风险也跟着翻倍。 说白了就是要在2048个I/O之间协调好信号问题。 不然电压不稳啥的问题都会出来。 为了稳定性只好增加厚度缩小间距。 传统方法是把背面磨掉减薄厚度。 但磨太薄了容易坏掉。 这次他们是加厚度而不是减厚度。 当然也不能让整体变高了所以要缩小间距。 间距小了就不好往里面灌MUF了。 灌不好容易出毛病所以得发明新方法。 新方法就是在不改变工艺流程和设备的前提下解决问题。 内部测试效果不错所以很有希望商用。 如果真商用了就能让英伟达的目标实现还能提升下一代产品性能。 其实英伟达最初的目标挺高的22 TB/s。 不过供应商好像有点费劲所以最后定在20 TB/s左右也就是每个引脚10 Gbps左右。 三星也在拼命呢他们用了1c DRAM技术还搞了PDN分段技术来降低缺陷率。 AI大火GPU需求大所以HBM4也得跟着火起来。 三大厂验证都快完成了预计第二季就能搞定。 三星肯定是最早量产的SK海力士也不差美光稍微慢一点但也很快就跟上了节奏。 大家都在卷性能谁能率先突破谁就能赢市场份额。 虽然现在SK海力士还没正式量产不过他们跟英伟达的合作关系很好所以供应位元上应该也能占上风。 其实这次的关键就在于怎么在I/O翻倍到2048个的情况下保证信号稳定和电压正常工作并减少功耗提高电源效率这就是考验各厂的真正本事了。